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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2006-07-24
Volume:Vol.37
Page Number:324-325
Key Words:多孔InP;电化学刻蚀;耗尽层;场强化效应;扫描电子显微镜
Abstract:利用扫描电子显微镜(SEM)对电化学刻蚀多孔InP的形貌进行了表征,用耗尽层模型和场强化效应模型讨论了多孔InP刻蚀的机制.
Pre One:Formation of porous InP by cathodic decomposition
Next One:等离子体加工对器件损伤的两种模式
