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个人信息Personal Information
副教授
硕士生导师
性别：女
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：凝聚态物理. 微电子学与固体电子学
办公地点：物理学院431
联系方式：15904250968
电子邮箱：dbd01@dlut.edu.cn
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MOS表面反型层少子时变效应研究
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论文类型：期刊论文
发表时间：2000-11-30
发表刊物：大连理工大学学报
收录刊物：Scopus、EI、PKU、CSCD
卷号：19
期号：6
页面范围：661-663
ISSN号：1000-8608
关键字：少数载流子;数值解/MOS结构;时变效应
摘要：为深入研究半导体表面过程,主要针对Zerbst方程,用数值拟合法,给出脉冲电压作用下MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解, 进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式;分析了表面少子时变过程,为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具.