个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别:女
毕业院校:大连理工大学
学位:博士
所在单位:材料科学与工程学院
学科:材料物理与化学
办公地点:三束实验室2号楼302室
联系方式:0411-84708380-8302
电子邮箱:lixiaona@dlut.edu.cn
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1.立方形态共格析出的耐高温铜基超合金设计
学术贡献一:将立方形态共格析出强化机制引入耐高温铜基超合金设计,获得了软化温度高于1000度的常规耐热Cu合金,使我国在高温Cu合金领域形成有原创性和核心专利的自主知识产权,目前已初步应用于军工领域。
在宽的成分范围内,通过成分及热处理工艺调控获得了一系列立方状γ′共格析出强化Cu100- y(Ni3/4Al 1/4)y (20at.%≤(Ni+Al) content≤50at.%)合金。这些合金具有优异的综合力学性能,高熔点,以及1273K或大于1273K的软化温度。升温中,由于γ′相的裂解,合金硬度和屈服强度随温度的升高而增加。结合AFM表面电流模式和微观结构三维重建确定了Cu100- y(Ni3/4Al 1/4)y合金的导电主体仍然是γ相。合金变温电阻率结果显示立方状γ′相的析出可提高合金电阻率的热稳定性。与其它铜合金相比,立方γ′相共格沉淀强化合金在高温、重载等苛刻的使役环境下具有巨大的潜力。
这部分工作得到国家自然科学基金面上项目52071052的支持,获得发明专利两项,研究成果发表在Acta Materialia,Journal of Alloys and Compounds等期刊上。
2. 高稳定性低电阻率Cu合金薄膜的制备及表征
学术贡献二:针对超大规模集成电路Cu互连的瓶颈问题,根据中性合金化原理,将难溶元素经化学近程序稳定分散在Cu晶格中,提高稳定性的同时兼顾导电性,有效简化了Cu导线制备工艺,获得了高稳定性、低电阻率的三元Cu合金薄膜。
Cu种籽层中直接加入少量元素来制备无扩散阻挡层Cu互连结构是超大规模集成电路发展的一个重要方向。将稳定固溶体团簇模型应用到无扩散阻挡层Cu互连薄膜中。采用磁控共溅射法,选择Mo、Nb、Sn等作为第三组元,制备共掺杂的稀Cu合金薄膜,研究掺杂成分和相应的团簇结构对Cu膜的微结构和性能的影响。证明了(MNi12)团簇这种掺杂方式可以有效抑制退火过程中的Cu-Si互扩散,并且不阻碍Cu的再结晶和晶粒长大,在提高稳定性的同时保持较好的电性能。高稳定性低电阻率Cu合金薄膜的制备成功,简化了现有的Cu导线制备工艺,有效地降低整体电阻。
这部分工作得到国家自然科学基金面上项目51271045和辽宁省自然科学基金的支持,研究成果发表在Applied Physics Letters,Applied Surface Science, Surface & Coatings Technology,Journal of Materials Research和Journal of Electronic Materials等期刊上。获得PCT国际专利一项(主权国家:美国和中国)。
3. 易反偏析Cu-Ni-Sn合金成分设计及制备
学术贡献三:针对高功率电子元器件精密接插端子用铜合金带材的国家重大需求,实现其国产化,利用稳定固溶体团簇模型优化设计了合金成分,解决了Cu-Ni-Sn合金的不连续析出问题,建立了三元成分解析方法,为多组元合金设计提供理论依据。
由于组元间的熔点相差较大,Cu-Ni-Sn系合金会在凝固时产生严重的偏析,且在时效时有大量的不连续析出相生成,破坏其使用和加工性能。本研究基于近程有序团簇结构模型选择Si作为第四组元设计了Cu80Ni15Sn5-xSi系列合金,从成分设计角度来解决这一问题。添加Si可减小Cu80Ni15Sn5合金的固液相线间距,且当Si在合金中处于固溶状态时效果最为明显;同时Si可以抑制时效时不连续析出相的产生。在此基础上,选择可固溶金属元素Zn和Co作为第四组元进行成分设计。比较得出,添加Zn有相对较好的抑制不连续析出相的效果,它以团簇固溶于Cu基体中,具有较好的固溶强化效果、较小地影响合金导电性、较突出地高温稳定性以及长时间时效后的综合性能优势,证实了它可以作为Cu-Ni-Sn体系合金多组元化的良好候选元素。
这部分工作受到国家重点研发计划(2017YFB0306100)资助;研究成果发表在Materials&. Design和Intermetallics等期刊上。
4.半导体型金属硅化物薄膜材料研究
学术贡献四:利用团簇模型解析了非晶Fe-Si局域结构与性能的关联,首次设计制备了Fe-Si基三元半导体非晶薄膜,填补了常规元素构成的窄带隙非晶半导体材料的空缺。
非晶FeSi2有望替代晶态β-FeSi2,实现铁硅化物在能源领域的大规模应用。由于非晶FeSi2光电性能强烈依赖于非晶态中的短程有序,我们利用非晶合金成分设计的团簇线判据做指导,选择了合适的第三组元对FeSi2进行合金化,在非晶态Fe4Si8-zAlz系,(Fe3M1) xSiy(M = B、Cr、Ni、Co)系三元薄膜及块体材料的研究中,首次获得了具有半导体性能的Fe-Si-Al、Fe-Si-B、Fe-Si-Cr系三元非晶薄膜,明确了上述非晶薄膜的制备工艺。
这部分工作得到获得辽宁省自然科学基金20170540178的支持。研究成果发表在Journal of Alloys and Compounds、Thin Solid Films和物理学报等期刊上,获得发明专利3项。
此外,利用申请人的微结构分析特长,与表面物理与化学国家重点实验室、法国南锡矿院、梅兹大学以及台湾科技大学间保持交流合作。与Grosdidier教授共同研究强流脉冲电子束处理下材料发生的微结构变化,与朱槿教授共同进行无扩散阻挡层Cu合金薄膜的研究,结合联合培养学生的工作情况经常进行互访。交流的研究成果发表在多篇SCI论文中。
- 李晓娜, 王清, 董闯.Cuboidal γ'phase coherent precipitation-strengthened Cu–Ni–Al alloys with high softening temperature[J],Acta Materialia,2021,203:116458-
- 李晓娜, 王清, 董闯.Performance and local structure evolution of NbMoTaWV entropy-stabilized oxide thin films with variable oxygen content[J],Surface and Coatings Technology,2021,402:126326-
- 李晓娜, 董闯.Synergistic reinforcement of Cu–Ni–Al films with dual nanostructure[J],Surface Engineering,2021
- Li, Z. M., Dong, C., X. N., Wang, C. Y., Zheng, Y. H., Yu, Q. X., Cheng, X. T., N. J., Bi, L. X., Q., XN (reprint author), Dalian Univ Technol, Minist Educ, Key Lab Mat Modificat Laser Ion & Electron Beams, Dalian 116024, Peoples R China..Comparative studies on microstructures and properties of Cu-Ni-M alloys controlled by strong interaction between elements[J],JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,2019,805:404-414
- Xiaona Li, Bing Hu, Chuang Dong, Xin Jiang.Structural evolution upon annealing of multi-layer Si/Fe thin films prepared by magnetron sputtering[A],2007,561-565(PART 2):1161-1164
- Li, Hongming, Dong, Chuang, Zhao, Yajun, Xiaona, Zhou, Dayu, C, Zhou, DY (reprint author), Dalian Univ Technol, Minist Educ, Key Lab Mat Modificat, Dalian 116024, Peoples R China..Quantitative Correlation between Electrical Resistivity and Microhardness of Cu-Ni-Mo Alloys via a Short-Range Order Cluster Model[J],JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,2019,48(1):312-320
- 具有立方形态析出组织的耐高温铜基超合金设计, 国家自然科学基金项目, 2020/09/18, 在研
- 铁基、锆基金属玻璃离子束和等离子体束作用的结构和性能稳定性, 国家自然科学基金项目, 2019/01/01, 结题
- 新型复合涂层/易反偏析合金快速凝固成形制备技术, 国家科技部, 2017/08/02-2024/07/03, 结题
- 锂离子电池负极材料用非晶Si(Fe)基薄膜的研究, 省、市、自治区科技项目, 2017/04/18-2023/09/13, 结题
- 红沿河核电厂TEC继电器触点失效原因分析项目分包合同, 企事业单位委托科技项目, 2016/10/08-2020/06/30, 结题
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