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Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2005-06-15

Journal: 微纳电子技术

Volume: 42

Issue: 6

Page Number: 284-287

ISSN: 1671-4776

Key Words: 各向异性腐蚀;MEMS加工工艺;计算机模拟;OpenGL三维技术

Abstract: 根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型.在VC++开发环境下利用OpenGL技术,实现了硅各向异性腐蚀过程的三维微观动态模拟,为深刻理解硅的各向异性腐蚀过程提供了直观的界面.