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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2005-06-15
Journal:微纳电子技术
Volume:42
Issue:6
Page Number:284-287
ISSN No.:1671-4776
Key Words:各向异性腐蚀;MEMS加工工艺;计算机模拟;OpenGL三维技术
Abstract:根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型.在VC++开发环境下利用OpenGL技术,实现了硅各向异性腐蚀过程的三维微观动态模拟,为深刻理解硅的各向异性腐蚀过程提供了直观的界面.
