Release Time:2023-03-15 Hits:
Date of Publication: 2022-10-10
Journal: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
Page Number: 65-68
Note: 新增回溯数据
Prev One:含InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN的外延生长和特性研究
Next One:喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响