Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2013-08-15

Journal: 发光学报

Included Journals: Scopus、EI、CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 34

Issue: 8

Page Number: 1017-1021

ISSN: 1000-7032

Key Words: SiN 应力弛豫 插入层 SiN strain relief insertion layer

Abstract: 研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响.采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放.同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善.研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力.同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高.最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数.