衬底弯曲度对GaN基LED芯片性能的影响
Release Time:2019-03-10 Hits:
Indexed by: Journal Article
Date of Publication: 2013-03-15
Journal: 发光学报
Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU、EI
Volume: 34
Issue: 3
Page Number: 340-344
ISSN: 1000-7032
Key Words: GaN;LED;弯曲度;残余应力
Abstract: 利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片.测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响.分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能.随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移.