Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2013-04-15

Journal: 发光学报

Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU、EI

Volume: 34

Issue: 4

Page Number: 469-473

ISSN: 1000-7032

Key Words: MOCVD;高度调节;InGaN/GaN量子阱

Abstract: 在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征.研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定.此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显.