Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2013-06-15

Journal: 发光学报

Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU、EI

Volume: 34

Issue: 6

Page Number: 744-747

ISSN: 1000-7032

Key Words: LED;相分离;插入层

Abstract: 利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性.插入层的引入增加了In在量子阱中的并入,并且引起了波长红移.经过分析,认为是In的相分离和极化场带来的红移,且恶化了器件的性能.