标题：
Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响
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论文类型：
期刊论文
发表刊物：
大连理工大学学报
卷号：
60
期号：
2
页面范围：
137-141
ISSN号：
1000-8608
关键字：
高电子迁移率晶体管;欧姆接触;退火;比接触电阻率
摘要：
利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1:2(20 nm/40 nm)、1:5(20 nm/100 nm)和1:8(20 nm/160 nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaN HEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的表面形貌.实验结果显示,相同退火时间条件下,退火温度在800℃,Ti与Al比为1:5的AlGaN/GaN HEMT结构形成了较好的欧姆接触.
发表时间：
2020-01-01
学位：博士
职称：副教授
学科：微电子学与固体电子学
所在单位：集成电路学院