标题：
SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响
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论文类型：
期刊论文
发表刊物：
发光学报
收录刊物：
PKU、ISTIC、CSCD、EI、Scopus
卷号：
34
期号：
8
页面范围：
1017-1021
ISSN号：
1000-7032
关键字：
SiN 应力弛豫 插入层 SiN strain relief insertion layer
摘要：
研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响.采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放.同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善.研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力.同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高.最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数.
发表时间：
2013-08-15
学位：博士
职称：副教授
学科：微电子学与固体电子学
所在单位：集成电路学院