标题：
喷淋头高度对InGaN/GaN量子阱生长的影响
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论文类型：
期刊论文
发表刊物：
发光学报
收录刊物：
EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
卷号：
34
期号：
4
页面范围：
469-473
ISSN号：
1000-7032
关键字：
MOCVD;高度调节;InGaN/GaN量子阱
摘要：
在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征.研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定.此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显.
发表时间：
2013-04-15
学位：博士
职称：副教授
学科：微电子学与固体电子学
所在单位：集成电路学院