标题：
MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能
点击次数：
论文类型：
期刊论文
发表刊物：
发光学报
收录刊物：
EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
卷号：
33
期号：
5
页面范围：
514-518
ISSN号：
1000-7032
关键字：
As掺杂;p-ZnO/n-SiC;电致发光;金属有机化学汽相沉积
摘要：
采用光辅助金属有机化学汽相沉积( PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO 薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶ As/n-SiC异质结器件.X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性.电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0V,反向击穿电压约为-13 V.正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合.
发表时间：
2012-05-15
学位：博士
职称：副教授
学科：微电子学与固体电子学
所在单位：集成电路学院