夏晓川
  • 学位:博士
  • 职称:副教授
  • 学科:微电子学与固体电子学
  • 所在单位:集成电路学院
教师拼音名称:xiaxiaochuan
硕士生导师
博士生导师
主要任职:集成电路学院副院长
其他任职:副院长
性别:
毕业院校:吉林大学
所在单位:集成电路学院
办公地点:大连理工大学开发区校区信息楼211室
联系方式:0411-84707865
电子邮箱:xiaochuan@dlut.edu.cn
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标题:
Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响
点击次数:
论文类型:
期刊论文
发表刊物:
发光学报
收录刊物:
Scopus、EI、PKU、ISTIC
卷号:
33
期号:
9
页面范围:
934-938
ISSN号:
1000-7032
关键字:
MOCVD;ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜;射频磁控溅射;退火温度
摘要:
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO (ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得.通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响.利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析.测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显.其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω·cm,载流子浓度为1.07×1020 cm-3,可见光区平均透过率为75.3%.
发表时间:
2012-09-15
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