高尚
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别:男
毕业院校:大连理工大学
学位:博士
所在单位:机械工程学院
学科:机械制造及其自动化
办公地点:机械工程学院高性能制造研究所#5015室
联系方式:手机:15104088992
电子邮箱:gaoshang@dlut.edu.cn
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工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤分布
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论文类型:期刊论文
发表时间:2013-02-05
发表刊物:机械工程学报
收录刊物:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
卷号:49
期号:3
页面范围:88-94
ISSN号:0577-6686
关键字:硅片;磨削;亚表面损伤;金刚石砂轮
摘要:集成电路制造过程中,基于工件旋转磨削原理的超精密磨削技术是硅片平整化加工和图形硅片背面减薄的重要加工方法,但磨削加工不可避免会在硅片的表面/亚表面产生损伤,研究磨削硅片的亚表面损伤分布对于分析硅片发生弯曲或翘曲变形的原因,确定后续工艺的材料去除厚度都具有重要的指导意义.采用角度截面显微观测法研究工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度沿晶向和径向的变化规律及光磨对磨削硅片的亚表面损伤分布的影响.结果表明,无光磨条件下磨削硅片的亚表面损伤深度在整个硅片表面分布不均匀,亚表面损伤深度沿周向在<110>晶向处大于<100>晶向,沿径向从中心到边缘逐渐增大;光磨条件下磨削硅片的亚表面损伤深度在整个硅片表面几乎是均匀的,且光磨后的硅片亚表面损伤深度明显小于无光磨条件下硅片亚表面损伤深度.