|
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：dwang121@dlut.edu.cn
扫描关注
SiO2/SiC界面的Wet-ROA改性机理研究
点击次数：
论文类型：期刊论文
发表时间：2009-09-25
发表刊物：固体电子学研究与进展
收录刊物：Scopus、PKU、ISTIC、CSCD
卷号：29
期号：3
页面范围：339-342
ISSN号：1000-3819
关键字：4H碳化硅;金属氧化物半导体;二氧化硅/碳化硅界面;变角X射线光电子能谱;湿氧二次氧化
摘要：高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜.采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiC MOS结构界面电学特性.发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性.采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对SiO2/SiC界面过渡区进行分析,通过过渡区厚度计算和过渡区成分含量比较,发现湿氧二次氧化工艺可减小过渡区氧化膜厚度,降低过渡区成分含量,进而揭示了降低SiO2/SiC界面态密度,改善界面电学特性的微观机理.