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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：dwang121@dlut.edu.cn
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SiC表面氢等离子体处理对MOS界面电学特性影响
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论文类型：会议论文
发表时间：2012-11-07
页面范围：511-514
关键字：碳化硅半导体;氢等离子体;表面处理;界面态密度;电学特性
摘要： 本文采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对4H-SiC (0001)表面进行处理，并进一步研究了氢等离子体处理对SiO2/SiC界面态的影响。X射线光电子诺(XPS)表面测试分析结果显示，氢等离子体处理后，表面C/C-H污染物被有效的去除，氧含量明显降低。在此工艺基础上对SiC MOS电容的C-V电学特性测试结果表明，氢等离子体处理能有效降低SiO2/SiC的界面态密度至1.06×1012cm-2 eV-1。