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论文类型：会议论文

发表时间：2010-10-25

页面范围：83-86

关键字：氢等离子体清洗;SiC晶圆;电子回旋共振

摘要：采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体发生系统清洗n型4H—SiC(0001)表面,利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程中表面微结构进行实时监控,并用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析。RHEED结果显示,SiC表面结构受氢等离子体清洗时间和温度的影响,在200℃～700℃温度范围内,特别是在400℃和500℃时处理合适的时间后SiC表面平整,原子排列规则,单晶取向性好,且表面未发生重构。XPS分析结果显示,氢等离子体处理后,表面C/C—H污染物被去除、氧含量明显降低.抗氧化性增强。