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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：dwang121@dlut.edu.cn
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SiO2/SiC界面氮钝化机理研究
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论文类型：会议论文
发表时间：2010-10-25
页面范围：140-142
关键字：SiO2/SiC界面;氨等离子体处理;XPS;界面缺陷
摘要：本文利用X射线光电子能谱技术(XPS)对氮等离子体处理前后的SiO2/4HSiC(0001)界面样品进行分析,结果显示,氮钝化过程中,N与SiC禁带中能级位于Ec附近的siOxCyv和碳团簇缺陷发生反应,降低了缺陷含量并同时生成能级靠近Ev的siOxNy和C-N键成分,进而减小了靠近Ec处的缺陷对界面态密度的影响,从界面缺陷变化角度明确了氮钝化工艺改善SiO2/SiC界面特性的微观机理。