|
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：dwang121@dlut.edu.cn
扫描关注
SiC MOS界面氮氢等离子体改性及电学特性研究
点击次数：
论文类型：会议论文
发表时间：2010-10-25
页面范围：87-89
关键字：SiC MOS电容;界面态密度;等离子体
摘要：本文利用氮氢混合等离子体处理SiO2/SiC界面,并借助于MOS 电容的I-V、C-V电学特性测试对氧化膜质量及界面电学特性进行评价。测试结果显示,氮氢混合等离子体处理10min效果最好,获得的氧化膜击穿场强为9.92MV/cm.SiO2与SiC间的势垒高度为2.71ev,同时导带附近(Ec—E=0.23eV)的界面态密度降低至1.14×1012cm—eV-1这表明氮氢混合等离子体处理能在不破坏氧化膜质量的前提下,有效降低SiO2/SiC界面的界面态密度,改善SiC MOS电容电学特性。