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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：dwang121@dlut.edu.cn
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SiO2/SiC界面悬挂键磷钝化的第一性原理研究
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论文类型：会议论文
发表时间：2010-10-25
页面范围：121-123
关键字：第一性原理;SiO2/SiC界面;悬挂键;磷钝化
摘要：采用基于密度泛函理论(DFT)广义梯度近似(GGA)下的第一性原理方法系统地研究了不同覆盖率下P原子在4H-SiC(0001)Si面的吸附特性。总能和电子结构计算结果表明.P在4H-sic(0001)Si面的稳定吸附位为三重面心立方(fcc)洞位,吸附能随着覆盖率的增加而减小,覆盖率为1/3ML时.P吸附可以有效消除Si悬挂键导致的带隙态,进而降低SiO2/4H—SiC界面态密度.