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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：dwang121@dlut.edu.cn
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Pt/4H—SiC肖特基接触的氢等离子体改性研究
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论文类型：会议论文
发表时间：2010-10-25
页面范围：137-139
关键字：Pt/4H-SiC接触;肖特基势垒;界面态密度;氢等离子体清洗
摘要：采用EcR微波氢等离子体技术处理n型4H-SiC表面,然后淀积金属Pt制作肖特基接触。I—V特性测试分析结果表明,经过氢等离子体表面清洗后,Pt/4H—SiC接触的整流特性增强,肖特基势垒由1.25V提高到1.73V。而4H-SiC肖特基势垒理论分析显示,氢等离子体表面处理使Pt/4H-SiC接触的界面态密度由1.2×1013cm-2eV-1减小到1.6×1012cm-2eV-1。