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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：dwang121@dlut.edu.cn
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SiO2/SiC界面过渡区结构研究
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论文类型：会议论文
发表时间：2008-11-30
页面范围：493-496
关键字：二氧硅氧化膜 碳化硅界面区 高温热氧化法 光电子能谱 原子级结构模型
摘要：采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,使用浓度为1％的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1nm～1.5nm)氧化膜SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱技术(ADXPS)对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。