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论文类型：期刊论文

发表时间：2008-11-15

发表刊物：北京科技大学学报

收录刊物：Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：30

期号：11

页面范围：1282-1285

ISSN号：1001-053X

关键字：4H-SiC MOS电容 湿氧二次氧化退火 SiO2/SiC界面

摘要：在传统氧化工艺的基础上,结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiC MOS电容. 通过I-V测试,结合Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流模型分析了氧化膜质量;使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度;通过XPS测试对采取不同工艺的器件界面结构进行了对比. 在该工艺下获得的氧化膜击穿场强为10MV*cm-1,SiC/SiO2势垒高度2.46eV,同时SiO2/SiC的界面性能明显改善,界面态密度达到了1011eV-1*cm-2量级,已经达到了制作器件的可靠性要求.