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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：清华大学
学位：博士
所在单位：控制科学与工程学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理. 控制理论与控制工程
电子邮箱：dwang121@dlut.edu.cn
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SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展
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论文类型：期刊论文
发表时间：2011-06-20
发表刊物：微电子学
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
卷号：41
期号：3
页面范围：461-464,478
ISSN号：1004-3365
关键字：绝缘层上硅;横向绝缘栅双极晶体管;闩锁效应
摘要：概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、理栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT,槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一些结构在抗闩锁方面的改善情况,总结指出抑制闩锁效应发生的根本出发点是通过降低p基区电阻的阻值或减小流过p基区电阻的电流来削弱或者切断寄生双极晶体管之间的正反馈耦合.