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SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展

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论文类型：期刊论文
发表时间：2011-06-20
发表刊物：微电子学
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
文献类型：J
卷号：41
期号：3
页面范围：461-464,478
ISSN号：1004-3365
关键字：绝缘层上硅;横向绝缘栅双极晶体管;闩锁效应
摘要：概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、理栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT,槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一些结构在抗闩锁方面的改善情况,总结指出抑制闩锁效应发生的根本出发点是通过降低p基区电阻的阻值或减小流过p基区电阻的电流来削弱或者切断寄生双极晶体管之间的正反馈耦合.

上一条： Chemical structure study of SiO2/4H-SiC (0001) interface transition region by angle-dependent x-ray photoelectron spectroscopy

下一条： Forward block characteristic of a novel anti-ESD RF SOI LIGBT with a buried P-type layer

王德君 var u_u6_pic = new ImageScale("u_u6_",140,140,true,true);u_u6_pic.addimg("/_resources/group1/M00/00/20/ynZMg18RfnqAKGSmAAFeUsXExQg049.jpg","","王德君","7970");