高飞
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第一作者:高飞
发明设计人:王友年
申请号:CN201610962640.X
授权日期:2016-11-04
授权号:CN106298425A
上一条:一种减少基片材料受高能离子轰击损伤的方法
下一条:一种适用于低气压甚高频放电中交变磁场强度测量的探针