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项目名称：多重2DEG沟道和凹槽栅组合GaN MOS-HEMT器件的研制

负责人姓名：黄火林

项目来源：其他课题

项目子类：省部级

项目状态：结题

项目来源单位：安徽省教育厅

项目性质：纵向

项目批准号：KJ2016SD42

立项时间：2016-06-13

计划完成时间：2018-12-31

开始日期：2016-01-01

结项日期：2023-07-15

发布时间：2016-10-10