大连理工大学主页平台管理系统黄火林 Degradation Mechanism of Crystalline Quality and Luminescence in In0.42Ga0.58N/GaN Double Heterostructures with Porous InGaN Layer 中文主页

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Performance-improved normally-off AlGaN/GaN high-electron mobility transistors with a designed p-GaN area under the recessed gate

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发布时间：2019-03-11

论文类型：会议论文

发表时间：2017-01-01

收录刊物：Scopus

页面范围：1230-1232

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