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High-temperature three-dimensional GaN-based hall sensors for magnetic field detection

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论文类型：期刊论文

发表时间：2021-03-26

发表刊物：JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS

卷号：54

期号：7

页面范围：75003-

下一条：Effects of SiON/III-nitride interface properties on device performances of GaN-based power field-effect transistors