黄正兴
个人信息Personal Information
副教授
硕士生导师
性别:男
毕业院校:大连理工大学
学位:博士
所在单位:控制科学与工程学院
电子邮箱:huangzx@dlut.edu.cn
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从头算方法研究SnO_2薄膜的能带和电子结构
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论文类型:会议论文
发表时间:2003-09-01
页面范围:1
关键字:气体传感器;SnO_2;气敏材料;敏感机理;电子结构;测试方法;电子交换;制造工艺;还原反应;金红石结构;
摘要:SnO_2是最常用的半导体气敏材料,被广泛用于研制各种类型的气体传感器。国内外对SnO_2气敏材料进行了长期的研究,在敏感机理、制造工艺、测试方法、信号处理等方面都做了大量工作。由于半导体气体传感器的工作机理依赖于气体敏感材料表面上的氧化—还原反应,而各种吸附到传感器表面上的气体都或多或少的与气体敏感材料发生电子交换,造成气体传感器选择性的下降。因此,掌握