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论文类型：期刊论文

发表时间：2005-06-10

发表刊物：大连理工大学学报

收录刊物：Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：45

期号：3

页面范围：313-315

ISSN号：1000-8608

关键字：薄膜;分子动力学;比热容;微尺度效应

摘要：针对纳米量级薄膜比热容测定的困难,根据实验值建立了SiO2(100)薄膜物理模型. 选取可靠的势能函数描述了分子间的相互作用,采用分子动力学模拟了它的比热容变化规律,在100～600 K下给出了厚度在1～5 nm的薄膜比热容对温度和厚度的依赖关系. 计算结果表明,SiO2薄膜在300 K下比热容明显低于相同条件下常规体材料的比热容,且随薄膜厚度的增加而增大;随温度升高,比热容变大,这同体材料是一致的. 模拟结果揭示了SiO2薄膜比热容的微尺度效应,与理论分析基本吻合,可为半导体微器件的设计提供资料.