高耐压、低损耗的Si衬底Ga2O3 MOSFET器件制备研究
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负责人姓名:柳阳
项目参与人员:夏晓川,梁红伟,申人升
项目来源:国家自然科学基金项目
项目子类:面上项目
项目状态:结题
项目来源单位:国家自然科学基金委员会
项目性质:纵向
项目批准号:61774072
立项时间:2017-08-17
计划完成时间:2021-12-31
开始日期:2022-03-29
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负责人姓名:柳阳
项目参与人员:夏晓川,梁红伟,申人升
项目来源:国家自然科学基金项目
项目子类:面上项目
项目状态:结题
项目来源单位:国家自然科学基金委员会
项目性质:纵向
项目批准号:61774072
立项时间:2017-08-17
计划完成时间:2021-12-31
开始日期:2022-03-29