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论文成果

含InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN的外延生长和特性研究

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发表时间：2022-10-10
发表刊物：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
文献类型：A
页面范围：28-29
备注：新增回溯数据

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