Synthesis of GaN network by nitridation of hexagonal epsilon-Ga2O3 film
点击次数：
发表时间：2022-10-09
发表刊物：JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS
所属单位：微电子学院
卷号：28
期号：3
页面范围：2598-2601
ISSN号：0957-4522
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发表刊物：JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS
所属单位：微电子学院
卷号：28
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ISSN号：0957-4522