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个人信息Personal Information
工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
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Smooth surface morphology and low dislocation density of p-GaN using indium-assisted growth
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发表时间：2022-10-08
发表刊物：APPLIED PHYSICS A MATERIALS SCIENCE PROCESSING
所属单位：微电子学院
卷号：116
期号：4
页面范围：1561-1566
ISSN号：0947-8396