Strain and microstructures of GaN epilayers with thick InGaN interlayer grown by MOCVD
点击次数：
发表时间：2022-10-08
发表刊物：MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
卷号：60
页面范围：66-70
ISSN号：1369-8001
点击次数：
发表时间：2022-10-08
发表刊物：MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
卷号：60
页面范围：66-70
ISSN号：1369-8001