|
个人信息Personal Information
工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
扫描关注
Strain and microstructures of GaN epilayers with thick InGaN interlayer grown by MOCVD
点击次数：
发表时间：2022-10-08
发表刊物：MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
卷号：60
页面范围：66-70
ISSN号：1369-8001