Stress State of GaN Epilayer Grown on Sapphire and 6H-SiC Substrates
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发表时间:2022-10-08
发表刊物:JOURNAL OF TESTING AND EVALUATION
所属单位:微电子学院
卷号:41
期号:5
页面范围:798-803
ISSN号:0090-3973
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发表时间:2022-10-08
发表刊物:JOURNAL OF TESTING AND EVALUATION
所属单位:微电子学院
卷号:41
期号:5
页面范围:798-803
ISSN号:0090-3973