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个人信息Personal Information
工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
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Stress State of GaN Epilayer Grown on Sapphire and 6H-SiC Substrates
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发表时间：2022-10-08
发表刊物：JOURNAL OF TESTING AND EVALUATION
所属单位：微电子学院
卷号：41
期号：5
页面范围：798-803
ISSN号：0090-3973