Crack-free Al0.5Ga0.5N epilayer grown on SiC substrate by in situ SiNx interlayer
点击次数:
发表时间:2022-10-06
发表刊物:MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
所属单位:光电工程与仪器科学学院
卷号:41
页面范围:291-296
ISSN号:1369-8001
点击次数:
发表时间:2022-10-06
发表刊物:MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
所属单位:光电工程与仪器科学学院
卷号:41
页面范围:291-296
ISSN号:1369-8001