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个人信息Personal Information
工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
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A Study of GaN Grown on SiH4 Pre-Treated 6H-SiC Substrates
点击次数：
发表时间：2022-10-05
发表刊物：Chinese Physics Letters
卷号：29
期号：1
ISSN号：0256-307X
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工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
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发表时间：2022-10-05
发表刊物：Chinese Physics Letters
卷号：29
期号：1
ISSN号：0256-307X