A preliminary study of SF6 based inductively coupled plasma etching techniques for beta gallium trioxide thin film
点击次数：
发表时间：2022-10-05
发表刊物：MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
所属单位：微电子学院
卷号：39
页面范围：582-586
ISSN号：1369-8001
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发表刊物：MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
所属单位：微电子学院
卷号：39
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ISSN号：1369-8001