Vertically conducting deep-ultraviolet light-emitting diodes with interband tunneling junction grown on 6H-SiC substrate
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发表时间：2022-10-03
发表刊物：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
所属单位：微电子学院
卷号：55
期号：3
ISSN号：0021-4922
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发表刊物：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
所属单位：微电子学院
卷号：55
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