柳阳

个人信息Personal Information

工程师

硕士生导师

性别：男

毕业院校：大连理工大学

学位：硕士

所在单位：集成电路学院

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Unintentionally doped high resistivity GaN layers with an InGaN interlayer grown by MOCVD

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发表时间：2022-10-03

发表刊物：RSC Advances

卷号：6

期号：65

页面范围：60068-60073

ISSN号：2046-2069

上一条：The properties of reversed polarization yellow InGaN-GaN MQWs in p-side down structure grown by metal-organic chemical vapor deposition on sapphire substrate

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