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个人信息Personal Information
工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
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Improvement of quality and strain relaxation of GaN epilayer grown on SiC substrate by in situ SiNx interlayer
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发表时间：2022-10-03
发表刊物：JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS
卷号：24
期号：8
页面范围：2923-2927
ISSN号：0957-4522