|
个人信息Personal Information
工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
扫描关注
Improved quality of GaN epilayer grown on porous SiC substrate by in situ H-2 pre-treatment
点击次数：
发表时间：2022-10-03
发表刊物：JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE MATERIALS IN ELECTRONICS
卷号：24
期号：9
页面范围：3299-3302
ISSN号：0957-4522