Growth Pressure Controlled Nucleation Epitaxy of Pure Phase epsilon- and beta-Ga2O3 Films on Al2O3 via Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
点击次数：
发表时间：2022-10-02
发表刊物：CRYSTAL GROWTH DESIGN
卷号：18
期号：2
页面范围：1147-1154
ISSN号：1528-7483
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发表刊物：CRYSTAL GROWTH DESIGN
卷号：18
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ISSN号：1528-7483