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论文类型：期刊论文

发表时间：2013-04-15

发表刊物：发光学报

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：34

期号：4

页面范围：469-473

ISSN号：1000-7032

关键字：MOCVD;高度调节;InGaN/GaN量子阱

摘要：在Aixtron 3×2近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18,25 mm间距的4个InGaN/GaN量子阱样品.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)对样品表面形貌及界面质量进行了表征.研究表明:随着高度的增加,量子阱的表面粗糙度减少,垒/阱界面陡峭度逐步变差,垒层和阱层厚度及阱层In组分含量减少;增加高度至一定值后,量子阱厚度及In组分趋于稳定.此外,对比垒层和阱层的厚度变化,垒层厚度的变化幅度较阱层更为明显.