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论文类型：期刊论文

发表时间：2013-03-15

发表刊物：发光学报

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：34

期号：3

页面范围：340-344

ISSN号：1000-7032

关键字：GaN;LED;弯曲度;残余应力

摘要：利用低压MOCVD系统在弯曲度值不同的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED外延结构并制作芯片.测量了芯片的主要电学和光学参数,并分析了衬底弯曲度值对芯片性能的影响.分析结果表明:存在弯曲度的衬底预先弛豫了外延层中的部分应力,改善了外延层的质量,从而提高了LED芯片的性能.随着衬底弯曲度值的逐渐增加,下层GaN对有源层中InGaN材料的压应力作用不断减小,导致芯片的主波长逐渐发生蓝移.