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论文类型：期刊论文

发表时间：2011-09-15

发表刊物：发光学报

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：32

期号：9

页面范围：956-961

ISSN号：1000-7032

关键字：Cu掺杂ZnO;MOCVD;蓝紫光发射峰;光致发光

摘要：通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2 03衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO( ZnO∶ Cu)薄膜.X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶ Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长.X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中.利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶ Cu进行室温和低温PL测试,在ZnO∶ Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet 发射峰,BV发射峰),范围在2.8～3.3 eV之间,又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高,BV发射峰峰位发生红移,且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光,并计算了Cu受主离化能.