1994年7月至今，在大连理工大学物理学院工作。

       1994年和2000年作为技术骨干，先后完成了两代电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）装备的设计和建造工作。

       2005年1月至2007年12月作为项目负责人完成了两项国家自然基金项目和一项辽宁省教育厅项目。1996年今，作为主要参加者还参与了氮化镓（GaN）基半导体材料的ECR-PEMOCVD低温生长方面的五项国家自然科学基金项目等, 在ECR-PEMOCVD装备的设计制造以及GaN、AlN、Ga₂O₃薄膜的低温生长及光电特性研究方面具有丰富的实践经验。

       2004年至今已指导硕士研究生29人，协助指导博士生7人，协助指导硕士研究生10人。学生在读期间将学习和掌握半导体物理、半导体器件物理及微电子工艺的相关理论知识，并能熟练操作ECR-PEMOCVD、射频磁控溅射等用于薄膜生长的大型设备，深入学习和掌握GaN、Ga₂O₃等宽带隙半导体薄膜与器件的制造工艺与机理。

      
主持或参加科研项目及人才计划项目情况：
1、国家自然科学基金面上项目，61474013、SiC MOS器件界面缺陷及其钝化研究、2015/01-2018/12、79万元、在研、参加。
2、国家自然科学基金面上项目，51102034、GaN纳米线阵列的晶体缺陷控制及其光学特性、2012/01-2014/12、25万元、已结题、参加。
3、国家自然科学基金主任基金，61040058、AlN/自持金刚石厚膜结构高频声表面波滤波器的研制、2011/01-2011/12、10万元、已结题、参加。
4、国家自然科学基金面上项目，60976006、掺锰InGaN稀磁与中间带半导体薄膜的制备与特性、2010/01-2010/12、10万元、已结题、主持。
5、国家自然科学基金面上项目，60476008、GaN基稀磁半导体量子点的自组织生长与特性、2004/01-2006/12、24万元、已结题、主持。
6、国家自然科学基金面上项目，69976008、自组装GaN量子点结构的ECR-PAMOCVD生长与特性、2000/01-2002/12、15.3万元、已结题、参加。
7、国家863项目，863-715-011-0033，立方GaN及GaN基蓝绿光激光材料的ECR等离子体辅助低温生长、1997/01-2000/12、60万元、已结题、参加。
8、国家自然科学基金面上项目，69576003、GaN膜的ECR等离子体辅助MOCVD生长与特性研究、1996/01-1998/12、11.5万元、已结题、参加。

近年来发表的研究论文：
[1] Qin Fuwen, Zhong Miaomiao, Liu Yuemei, Wang Hui, Bian Jiming, Wang Chong, Zhao Yue, Zhang Dong, Li Qinming. Growth of high c-orientated crystalline 

      GaN films on amorphous Cu/glass substrates with low-temperature ECR-PEMOCVD, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2014, 25(2): 969-973

[2] Qin Fuwen, Zhong Miaomiao, Wang Chong, Liu Yuemei, Bian Jiming, Wang Enping, Wang Hui, Zhang Dong. Deposition and  characteristics of GaN films on Ni 

      metal substrate by ECR-PEMOCVD, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2013, 24(12): 5069-5074

[3] Qin Fuwen, Zhang Dong, Bai Yizhen, Ju Zhenhe, Li Shuangmei, Li Yucai, Pang Jiaqi, Bian Jiming. Deposition and properties of highly c-oriented of InN films on 

      sapphire substrates with ECR-plasma-enhanced MOCVD, Rare Metals, 2012, 31(2): 150-153。

[4] Liu Yuemei, Qin Fuwen, Zhang Dong, Bian Jiming, Zhao Yue, Wang Enping, Wang Shuai, Zhong  Miaomiao, Ju Zhenhe. Low-temperature growth of highly 

      c-oriented GaN films on Cu coated glass substrates with ECR-PEMOCVD, Journal of Crystal Growth, 2013, 368: 92-96

[5] Duan Zhongwei, Qin Fuwen, Lin Guoqiang, Bian Jiming, Zhang Dong, Wang Enping. Effect of temperature on GaN films deposited on graphite substrates at low-

      temperature, Applied Surface Science, 2013, 280: 909-913

[6] Wang Enping, Bian Jiming, Qin Fuwen, Zhang Dong, Liu Yuemei, Zhao Yue, Duan Zhongwei, Wang Shuai. Effect of TMGa flux on GaN films deposited on Ti 

      coated on glass substrates at low temperature, Chinese Science Bulletin, 2013, 58(30): 3617-3623

[7] Zhao Yue, Qin Fuwen, Bai Yizhen, Ju Zhenhe, Zhao Yan, Zhang Xiaohui, Li Shuangmei, Zhang Dong, Bian Jiming, Li Yang. Low temperature 

     synthesis of GaN films on ITO substrates by ECR-PEMOCVD，Vacuum，2013，92：77-80

[8] Liu W.F., Luo Y. L., Sang Y.C., Bian J.M., Zhao Y., Liu Y.H., Qin Fuwen. Adjusted surface work function of InN films annealed at vacuum and at  high-pressure N₂ 

      conditions，Materials Letters, 2013, 95: 135-138。

[9] Zhang Dong, Qin Fuwen, Bai Yizhen, Bian Jiming, Li Shuai, Pan Li, Zhi Anbo, Liu Xinglong, Jiang Xin. Effect of buffer layer on the structural  and morphological 

       properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD, Diamond and Related Materials, 2012, 21: 88-91

[10] Zhi Anbo, Qin Fuwen, Zhang Dong, Bian Jiming, Yu Bo, Zhou Zhifeng, Jiang Xin. Low-temperature growth of highly c-oriented InN films on glass substrates 

       with ECR-PEMOCVD, Vacuum, 2012, 86(8): 1102-1106

[11] Zhang Dong，Qin Fuwen, Bai Yizhen, Bian Jiming, Li Shuai, Pan Li, Zhi Anbo, Liu Xinglong, Jiang Xin. Effect of buffer layer on the structural and 

       morphological properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD, Diamond and Related Materials, 2012,21: 88-91

[12] Liu Bingbing, Wang Dejun, Qin Fuwen. Enhanced TiC-SiC Ohmic contacts by ECR hydrogen plasma pretreatment and low-temperature  post-annealing, Applied 

       Surface Science, 2015, 355(20): 59-63

[13] Zhong, M.M., Qin Fuwen, Liu Y.M., Wang C., Bian J.M., Wang E.P., Wang H., Zhang D., Low-temperature growth of high c-orientated  crystalline GaN films on 

        amorphous Ni/glass substrates with ECR-PEMOCVD，Journal of Alloys and Compounds, 2014, 583: 39-42

[14] Zhu Qiaozhi, Qin Fuwen, Li Wenbo，Wang Dejun. Electrical and physical properties of 4H-SiC MOS interface with electron cyclotron resonance microwave 

        nitrogen plasma post-oxidation annealing, Physica B: Condensed Matter, 2014, 432: 89-95

[15] Zhao Shuang, Chen Jie, Ma Chunyu, Li Jian, Wang Xuan, Zhao Yaxin,Liu Hongsheng, Karpinski Dzmitry, Qin Fuwen*. Low-temperature  growth and 

       characterization of β-Ga₂O₃ thin films by ECR-PEMOCVD, Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, 194: 109588

已授权发明专利：
[1] 秦福文，林国强，刘勤华。采用金属基片制备垂直GaN基LED芯片的设备，2014年12月17日，中国，ZL 2012 1 0247144.8

[2] 秦福文，林国强，刘勤华。金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法，2014年12月17日，中国，ZL 2012 1 0247142.9

[3] 秦福文，马春雨，白亦真，林国强，王德君。一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法，2019年2月21日，中国，ZL 2017 1 0252532.8

[4] 秦福文，马春雨，白亦真，林国强，王德君。镀金金属衬底上的氮化铝铟镓/二硫化钼钨膜及制备方法，2019年11月19日，中国，ZL 2017 1 0252866.5

[5] 秦福文，马春雨，卢康，白亦真，林国强，王德君。柔性透明聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法，2020年11月03日，中国，ZL 2018 1  

          0576913.6

[6] 刘子恒，秦福文，马春雨。一种利用液态镓基金属制备氧化镓外延层的方法, 2025年7月7日，中国，ZL 2024 1 0745871.X

[7] 王德君，刘冰冰，秦福文。一种降低SiC MOS 界面态密度的表面预处理方法， 2018年4月10日，中国，ZL 2015 1 0735852.X

[8] 王德君，孙雨浓，杨超，秦福文。一种SiC MOSFET 器件低温稳定性的评价测试方法，2020年11月20日，中国，ZL 2018 1 1163919.7

[9] 王德君，秦福文，杨超，尹志鹏。一种提高SiC MOSFET 器件性能稳定性的制作方法，2021年6月8日，中国，ZL 2018 1 0796522.5

[10] 王德君，尹志鹏，杨超，秦福文。提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法，2021年7月13日，中国，ZL 2019 1 0850905.0

[11] 王德君，尹志鹏，尉升升，杨超，秦福文。一种SiC MOS器件的陷阱量测试和分离方法，2024年6月21日，中国，ZL 2021 1 0130884.2

[12] 王德君，尉升升，尹志鹏，秦福文，于洪权，刘兆慧。一种改进的碳化硅MOSFET器件的制备工艺，2024年5月31日，中国，ZL 2021 1 0000225.7

[13] 王德君，尹志鹏，尉升升，秦福文，提高碳化硅MOSFET器件稳定性和可靠性的两步氧化后退火工艺，2024年6月4日，中国，ZL 2021 1 0221974.2

1998.3 -- 2004.4
大连理工大学       材料学       博士

1991.9 -- 1994.7
吉林大学       半导体物理与半导体器件物理       硕士

1987.9 -- 1991.7
辽宁大学       光学       学士

2004.1 -- 至今

物理与光电工程学院      副教授

1994.7 -- 2003.12

电气工程与应用电子技术系      副教授

氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga2O3）薄膜的等离子体增强低温生长研究