![]()
秦福文
-
副教授
硕士生导师
- 性别：男
- 毕业院校：大连理工大学
- 学位：博士
- 所在单位：物理学院
- 学科：凝聚态物理
- 办公地点：科技园c座303-2
- 联系方式：qfw@dlut.edu.cn
- 电子邮箱：qfw@dlut.edu.cn
访问量：
-
[1] 牟宗信, 李国卿, 秦福文, 黄开玉, 车德良.非平衡磁控溅射系统离子束流磁镜效应模型[J],物理学报,2022,54(3):1378-1384
-
[2] 边继明, 张志坤, 秦福文, 章俞之, 刘维峰, 骆英民, 杜国同.高热导石墨衬底上的ZnO基MOS器件生长及表征[A],中国物理学会;中国稀土学会,2022,212-212
-
[3] 崔洪涛, 吴爱民, 秦福文, 谭毅, 闻立时, 姜辛.升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜[J],半导体技术,2022,2:117-120
-
[4] 辛萍, 孙成伟, 秦福文, 文胜平, 张庆瑜.反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析[J],物理学报,2022,2:1082-1087
-
[5] 秦福文.在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性[A],2008中国材料研讨会，广州，2008年11月20日－24日：E3-24，104,2022,104-104
-
[6] 刘胜芳, 秦福文, 吴爱民, 姜辛, xuyin, gubiao.在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性[J],半导体光电,2022,4:557-562
-
[7] 刘国涛, 徐茵, 顾彪, 秦福文, 周智猛.在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法[J],半导体光电,2022,24(1):45-47
-
[8] 宋世巍, 秦福文, 吴爱民, 何欢, 王叶安, 姜辛, xuyin, gubiao.基于ECR-PEMOCVD生长的稀磁半导体(Ga,Mn)N的特性[J],功能材料,2022,9:1473-1476
-
[9] 郎佳红, 秦福文, 顾彪.基于RHEED图像外延GaN基薄膜表面晶格演变分析[J],安徽工业大学学报 自然科学版,2022,24(1):67-71
-
[10] 郎佳红, 秦福文, gubiao.基于双热电偶校准ECR-PEMOCVD薄膜生长温度分析研究[J],红外技术,2022,29(2):79-82
-
[11] 张东, 白亦真, 秦福文, Jia, Fuchao, Wang, Jian, 边继明.Deposition and properties of highly C-oriented GaN films on diamond substrates[J],APPLIED PHYSICS A MATERIALS SCIENCE PROCESSING,2022,102(2):353-358
-
[12] 王三胜, 顾彪, 徐茵, 秦福文, 隋郁, 杨大智.用N_2-H_2等离子体氮化GaAs衬底对ECR-PEMOCVD生长立方GaN的影响(英文)[J],发光学报,2022,S1:24-28
-
[13] 汤斌, 李文波, 刘冰冰, 刘道森, 秦福文, 王德君.电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-SiC MOS电容TDDB特性的影响[J],固体电子学研究与进展,2022,35(2):191
-
[14] 张志坤, 章俞之, 边继明, 孙景昌, 秦福文, 刘维峰, 骆英民.石墨衬底上低维ZnO纳米材料的生长(英文)[J],无机材料学报,2022,29(01):103-107
-
[15] 秦福文, 王德君.碳化硅MOS器件氧化层界面附近碳存在形式的理论研究进展[J],智能电网,2022,6(1):12-17
-
[16] 章家岩, 郎佳红, 秦福文, gubiao.等离子体清洗GaAs和Al2O3衬底的RHEED图像分析[J],华中科技大学学报 自然科学版,2022,5:88-91
-
[17] 顾彪, 徐茵, 秦福文, 王三胜, 隋郁.立方GaN结晶薄膜生长中的ECR等离子体[A],2000年中国材料研讨会,2022,4
-
[18] 李慧, 吴爱民, 张文兰, 陆文琪, 秦福文, 董闯.线形同轴耦合微波等离子体诊断及硅薄膜制备[J],哈尔滨工程大学学报,2022,3:423-426
-
[19] 张东, 白亦真, 秦福文, 贾福超, 赵纪军, 姜辛.自持金刚石厚膜上GaN薄膜的沉积及其表征[A],TFC’09全国薄膜技术学术研讨会,2022,1
-
[20] 刘明, 刘志文, 谷建峰, 秦福文, 马春雨, 张庆瑜.蓝宝石基片的处理方法对ZnO薄膜生长行为的影响[J],物理学报,2022,57(2):1133-1140
